Seoul | EGINDO.co – Samsung Electronics akan menggunakan proses 3-nanometer milik TSMC untuk memproduksi *base die* (lapisan dasar) bagi cip *high-bandwidth memory* (HBM) kustom generasi berikutnya dari Nvidia, demikian dilaporkan oleh *Seoul Economic Daily* pada hari Minggu.
Menurut laporan tersebut, langkah ini menandai kali pertama Samsung bekerja sama dengan perusahaan manufaktur cip asal Taiwan tersebut dalam tahap produksi HBM.
• Surat kabar tersebut, yang mengutip sumber industri, menyatakan bahwa Nvidia telah meminta Samsung, SK Hynix, dan Micron Technology untuk menggunakan proses TSMC bagi *base die* NVHBM, serta teknologi DRAM generasi keenam untuk *core die* (lapisan inti)-nya.
• NVHBM, yang diperkenalkan pada bulan Agustus, mengintegrasikan pengontrol memori kustom milik Nvidia ke dalam *base die*. Menurut perusahaan tersebut, langkah ini bertujuan untuk menstandarisasi implementasi di berbagai pemasok memori.
• *Seoul Economic Daily* melaporkan bahwa Samsung telah menerima persyaratan Nvidia setelah melakukan tinjauan internal. Namun, Samsung berencana untuk tetap mempertahankan model produksi internalnya untuk produk HBM standar serta produk kustom bagi pelanggan lainnya.
• Surat kabar tersebut juga mengutip seorang narasumber yang menyatakan bahwa Samsung tengah mengevaluasi apakah unit *foundry* (fasilitas manufaktur cip) miliknya sendiri dapat memproduksi *base die* NVHBM, seandainya permintaan melampaui kapasitas produksi TSMC.
Sumber : CNA/SL